lunes, 2 de junio de 2008

1.6. Fotorresistencias (Variables ópticas)

LAS FOTORRESISTENCIA o LDR, es un dispositivo que cambia su resistencia por el nivel de incidencia de luz. Esta formada por materiales semiconductores.
Su símbolo es:


La conductividad eléctrica de un material depende del número de portadores en la banda de conducción. En un semiconductor:
–A bajas Temperaturas la mayor parte de los electrones están en la banda de valencia y se comporta casi como un aislante, Al aumentar la Temperatura aumenta la agitación térmica y los electrones comienzan a pasar de la banda de valencia a la de conducción (próximas a diferencia de los aislantes), La energía necesaria para realizar el salto puede venir de otras fuentes como la radiación electromagnética: E = h fsiendo h=6.62 10-34la constante de PlankWs2.
Si la radiación tiene energía suficiente para permitir el salto de la banda prohibida, pero sin exceder el umbral para que se desprendan del material por efecto fotoeléctrico externo, se tendrá efecto fotoeléctrico interno, y a mayor radiación mayor conductividad

Consideraciones:
–Constante de tiempo de subida (expresada en ms) mucho menor que la de caída o extinción (expresada en kΩ/s)
–Son sensibles a la Temperatura por la generación térmica de pares electrón/hueco y por el llamado ruido térmico (fluctuaciones de corriente al aplicar una tensión para medir su valor)–Respuesta espectral estrecha (ver gráfica adjunta)
–Los elementos previstos para longitudes de onda elevada deben mantenerse a baja temperatura para reducir el ruido térmico (células Peltiero criostatos)

Aplicaciones:
–Medidas de luz con poca precisión y bajo coste:
•Control automático del brillo y contraste en receptores de TV
•Control del diafragma en cámaras fotográficas
•Detección de incendios
•Control de iluminación
–Medidas de presencia y posición

No hay comentarios: